英特尔技术实现突破 开发首个3D晶体管

英特尔今天表示，在微处理器上实现了历史性的技术突破：成功开发世界首个3D晶体管，名叫Tri-Gate。据英特尔介绍说，3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度，它能让摩尔定律延续数年。 

英特尔展示了22纳米处理器

该技术能促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，新技术将用在未来22纳米设备中，包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。

根据英特尔的解释，公司重新为芯片设计了电子开关（即晶体管），在过去开关是平面的，现在增加了第三维，它由硅基向上突出。例如，当土地有限，要增加办公室就可以盖摩天大楼。新的3D晶体管道理与此相似。

英特尔展示了22纳米处理器，代号为Ivy Bridge，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上，还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。通过使用3D晶体管，芯片可以在低电压和低泄露下运行，从而使性能和能耗取得大幅改进。

在低电压条件下，22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外，在相同的性能条件下，新的晶体管耗电不及 2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。

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